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晶閘管伏安特性測(cè)試儀 晶閘管測(cè)試儀 本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓（VDSM、VDRM）及斷態(tài)電流（IDSM、IDRM）、反向電壓（VRSM、 VRRM）及反向電流（IRSM、IRRM）的測(cè)試設(shè)備。適用于各種晶閘管、整流管及晶 閘管、整流管模塊的參數(shù)測(cè)試。

晶閘管阻斷電壓測(cè)試儀 型號(hào)：DBC-023C 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管的如下參數(shù)： ◇ 正向斷態(tài)電壓（VDRM）； ◇ 反向阻斷電壓（VRRM）； ◇ 正向斷態(tài)漏電流（IDRM）； ◇ 反向阻斷漏電流（IRRM）； 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果

數(shù)字式太陽(yáng)能級(jí)硅晶體少子壽命測(cè)試儀 儀器應(yīng)用范圍及說(shuō)明 本設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、

晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率dV dt測(cè)試儀 晶閘管dv dt測(cè)試儀 本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率dv／dt參數(shù)的測(cè)試設(shè)備。適用 于各種快速晶閘管，普通晶閘管及雙向晶閘管的參數(shù)測(cè)試。本測(cè)試儀設(shè)計(jì)良好， 結(jié)構(gòu)合理，操作簡(jiǎn)便。其檢測(cè)原理符合GB4024-83標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。是電力半導(dǎo)體 器件生產(chǎn)廠和使用單位Z為理想的檢測(cè)設(shè)備。

晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀 DBC-094 本測(cè)試儀為晶閘管電路換向關(guān)斷時(shí)間tq的測(cè)試儀。根據(jù)晶閘管關(guān)斷 的物理過(guò)程，采用三電源法測(cè)試，其原理*符合JB/T7626-94標(biāo)準(zhǔn)。 本儀器采用電容儲(chǔ)能、脈沖放電測(cè)試電路、數(shù)顯直讀關(guān)斷時(shí)間。具有測(cè)試 精度高、重復(fù)性好、操作簡(jiǎn)便、可靠性高等特點(diǎn)，是晶閘管生產(chǎn)廠家和應(yīng)用單 位較為理想的產(chǎn)品檢測(cè)設(shè)備

晶閘管伏安特性測(cè)試儀DBC-023B是晶閘管斷態(tài)電壓(VDSM、VDRM)及斷態(tài)電流(IDSM、IDRM)、反向電壓(VRSM、VRRM)及反向電流(IRSM、IRRM)的專用測(cè)試設(shè)備。適用于各種晶閘管、整流管及晶閘管、整流管模塊的參數(shù)測(cè)試。